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2004年NAND和NOR闪存的市场份额状况
 
慧聪网   2005年5月16日10时5分   信息来源:慧聪网IT行业频道    

    从年初来看,各电子行业人士对半导体在2005-2006年的发展持保守态度。但是对于闪存产品,大家认为,2005年闪存需求仍将小幅上升,NAND和NOR型闪存有融合趋势。从2004年闪存销量第一的三星的计划——将05年闪存产量提高140%,也可以看出对此的一些信心。

    2004年全球闪存市场规模达到159亿美元,与2003年的116亿美元相比增长36.4%。其中NAND闪存的销售额为63.37亿美元,比2003年增长50.1%;而NOR闪存的销售额为95.58亿美元,比2003年增长28.7%。

    美国国家半导体预计,2004年闪存市场增长34.6%,2005年预计下降1.8%,2006和2007年分别增长3.2%和14.7%;2003-2007年,闪存市场分别为117亿美元、158亿美元、155亿美元、160亿美元和183亿美元。

表1:2004年闪存市场份额排名(单位:百万美元)

表1:2004年闪存市场份额排名(单位:百万美元)

数据来源:iSuppli

    我们可以看出,三星的闪存销售额为39.9亿美元,市场份额为25.1%,比2005年增长了5.7个百分点。也是除Hynix以外,增长最快的闪存厂商。这个增长特别表现在NAND闪存市场上,三星在NAND市场的份额已经达到55.7%。

    AMD/Spansion为全球第二大闪存供应商,整体的市场份额达到15.2%。整体市场份额比2003年略有减少。她在NOR闪存市场全年仍排第一,占有25.2%的市场份额,比英特尔的23.9%高出1.3个百分点——虽然Intel在第三第四季度利用价格优势,表现出色,超过了AMD/Spansion。当然,我们也认为NOR闪存市场价格战有进一步升级的迹象。

表2:2004年NAND闪存市场份额排名(单位:百万美元)

表2:2004年NAND闪存市场份额排名(单位:百万美元)

表3:2004年NOR闪存市场份额排名(单位:百万美元)

表3:2004年NOR闪存市场份额排名(单位:百万美元)

    NAND和NOR闪存厂商在技术上出现了融合。NOR闪存供应商Spansion基于“MirrorBit”技术的ORNAND产品据称综合两类闪存的优点——NOR闪存的代码执行能力和NAND闪存的数据存储能力。而NAND巨头三星则推出了1Gb的OneNAND高速闪存,也融入NOR闪存的特性,其写入速度达10MBps,其读取速度达到108MBps。

    Spansion正计划在2005推出一种突破性的闪存技术,不但能提升密度,而且还能降低器件数量和成本。该技术名为ORNAND闪存架构,它将在单芯片上汇集NOR闪存的代码执行能力和NAND闪存的数据存储能力,能同时支持快速读与快速写功能,并拥有NAND闪存的高密度与低成本,其晶圆尺寸亦与NAND型产品类似。通过将MirrorBit技术提升到每单元存储4个位的数据,Spansion公司计划到2007年时推出8GBit的闪存,且将采用65纳米工艺。Spansion将在2005年初推出首款1.8V,512Mb的ORNAND产品,突发写入速度将是目前NAND产品的四倍。

     其实业界一直在期待NOR与NAND技术的融合,据悉英特尔也计划在其NOR产品线中加入更多的NAND能力。同时,其它供应商也在加入NOR闪存市场,或者扩大在该市场的投入,NAND产品线的领导厂商三星电子已开始供应用于手机的NOR闪存;意法半导体在增加其256Mbit MLC NOR闪存的产量,以在高密度NOR领域追赶英特尔和Spansion。 并且由于2005年闪存市场增长率下降,2005年闪存市场的竞争更将更加激烈。

 
作者:黄瑜 
 
 
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