CMOS与CCD技术自诞生以来，它们的抢位之争自诞生至今就没有停止过。如今，依托这两大类感光元件，形成了分别应用CMOS和CCD元件的两大阵营，在硬件设备制造领域争相斗法。在竞争中，它们努力克服各自的天生劣势，并在技术指标不断攀升的基础上，期待更大的技术突破。
一争高下由来已久
CCD与CMOS传感器是当前被普遍采用的两种图像传感器，两者都是利用感光二极管(photodiode)进行光电转换，将图像转换为数字数据，而其主要差异是数字数据传送的方式不同。这种转换的原理与“太阳电能”电子计算机的“太阳能电池”效应相近，光线越强、电力越强；反之，光线越弱、电力也越弱的道理，将光影像转换为电子数字信号。
比较CCD和CMOS的结构，ADC的位置和数量是最大的不同。简单的说，CCD每曝光一次，在快门关闭后进行像素转移处理，将每一行中每一个像素（pixel）的电荷信号依序传入“缓冲器”中，由底端的线路引导输出至CCD旁的放大器进行放大，再串联ADC输出；相对地，CMOS的设计中每个像素旁就直接连着ADC（放大兼类比数字信号转换器），讯号直接放大并转换成数字信号。
竞争引发进步，CCD和CMOS传感器技术都在各自的劣势中试图补齐短板。新一代的CCD传感器一直在功耗上作改进，而CMOS传感器则在改善分辨率与灵敏度方面的不足。二者在品质上的差距在不断缩小，比如，OmniVision于2004年就推出了OV5610CMOS5百万像素图像传感器，它的重要意义就在于它成为第一个能够输出CCD影像品质的CMOS图像传感器。从此，CMOS在成像品质上的追求就显得更为游刃有余了。
CCD（电荷耦合器件）是前辈，自1969年在贝尔试验室研制成功以来，它经历多年发展，从初期的10多万像素发展至今，已经非常成熟，应用于多个领域。而CMOS（互补金属氧化物半导体）则是后来者，它诞生于1998年，这类新型的图像传感技术被认为是代表未来的技术方向。
CMOS将走向何方
CCD和CMOS在制造上的主要区别是：CCD是集成在半导体单晶材料上，而CMOS是集成在被称做金属氧化物的半导体材料上，工作原理没有本质区别，但二者的制造成本却大相径庭。简单说来，CMOS传感器采用一般半导体电路最常用的CMOS工艺，可以轻易地将周边电路(如AGC、CDS、Timinggenerator或DSP等)集成到传感器芯片中；而CCD采用电荷传递的方式传送数据，只要其中有一个像素不能运行，就会导致一整排数据不能传送。显然，CCD传感器的成品率要比CMOS传感器成品困难得多。
而另一方面，CMOS还继续在成像的通透性、对实物的色彩还原能力等方面迎头赶上。以CMOS阵营的重要厂商佳能为例，其高速扫描仪产品大都采用CMOS器件。作为掌握高端CMOS传感器技术的主要厂商之一，佳能为进一步增强CMOS扫描质量，特地研发了感光度增强技术，进而通过使用大尺寸传感器提高开口率，这正是提高CMOS感光能力的最直接办法。即便是在噪音控制方面，佳能也取得了技术突破。针对固定噪声问题，佳能研发了“第二代片内降噪技术”，该技术其实是一套专门的噪声检测算法，直接整合于CMOS图像传感器的控制逻辑中。
