英特尔45nm处理器07下半年全面无铅化
 英特尔45nm处理器07下半年全面无铅化
英特尔本月底宣布他们将在今年下半年采用绿色无铅技术生产其第二代酷睿2双核、四核以及至强处理器。英特尔表示,采用无铅技术生产处理器是业界的趋势,也是环保的需要。而其“绿色”处理器将采用45nm工艺,预计今年下半年开始生产。除了业界对环保产品的要求外,行业用户特别是那些运行大型服务器的企业越来越看重处理器的节能特性。能够提供更高每瓦性能的产品将在很大程度上缩减整体成本……
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 45nm技术简介
在英特尔45纳米处理器中制造工艺主要采用了高K+金属栅晶体管制造工艺。在该工艺中,电极从原本的多晶硅栅极转变为金属栅极,增强栅极磁场效应。而绝缘层——栅极氧化层使用材料也转变至Hf(铪)的氧化物。

在130纳米技术中,栅极氧化层的厚度约在1.5纳米,到了90纳米技术中,绝缘层厚度缩减到1.2纳米,而65纳米技术绝缘层厚度仍然保持在1.2纳米,原因就是1.2纳米仅为4-5个氧化硅原子的厚度。如果达不到这个数量,就不能保证绝缘性,成为了改进制程工艺的最大瓶颈……
 晶体管技术发展
2003 90nm SiGeS/D应变硅
2005 65mm SiGe S/D第2代
2007 45mm 高K金属栅极
2009 32mm ……
2011年后……
 英特尔事件追踪
 ·多项改进 英特尔谈45nm处理器技术突破 05/30 10:04 
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 AMD方面动态
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